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Infineon Technologies BSZ036NE2LS
| Artikelnummer: | BSZ036NE2LS |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) |
| Teil der Beschreibung.: | BSZ036NE2LS Infineon Technologies |
| Datenblätte: |
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| RoHs Status: | Lead free / RoHs compliant |
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Infineon Technologies BSZ036NE2LS Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments BSZ036NE2LS.Produkteigenschaften Eigenschaften VGS (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA Vgs (Max) ±20V Technologie MOSFET (Metal Oxide) Supplier Device-Gehäuse PG-TSDSON-8-FL Serie OptiMOS™ Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.6 mOhm @ 20A, 10V Verlustleistung (max) 2.1W (Ta), 37W (Tc) Verpackung Tape & Reel (TR) Verpackung / Gehäuse 8-PowerTDFN Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Produkteigenschaften Eigenschaften Befestigungsart Surface Mount Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1200pF @ 12V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 16nC @ 10V Typ FET N-Channel FET-Merkmal - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Drain-Source-Spannung (Vdss) 25V Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 16A (Ta), 40A (Tc) BSZ036NE2LS Einzelheiten PDF [English] BSZ036NE2LS PDF - EN.pdf -
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